086n10n是什么三极管

086n10n是一种N沟道MOSFET三极管，适用于工业级电源、UPS电源、闪光灯驱动、蓄电池充电器等场合。它具有低电导电阻、快速开关速度、良好的温度补偿特性和高密度集成等优点。086n10n三极管的管脚分别为源极、漏极和栅极，可控制电路中电流的通断，具有灵活性和可靠性。在现代电子器件中，086n10n三极管的应用范围广泛，具有重要的实用价值和市场前景。

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型号为086N10N3G（或086N10N）的元件是N沟道场效应管，具体信息如下：

类型：N沟道场效应管。

耗散功率（PD）：在管壳温度（Tc）=25℃时为37.5 W。

漏极电流（ID）：在管壳温度（Tc）=25℃时为45 A。

漏极和源极电压（VDSS）：100 V。

漏极和源极通态电阻（RDS（on））：0.0086 Ω。

封装：TO-220。

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